Εξειδίκευση τύπου :	Ανακοίνωση σε συνέδριο
Τίτλος:	Laser ablation of nylon 6.4 under UV irradiation at 193 and 248 nm
Δημιουργός/Συγγραφέας:	Vassilopoulos, N [EL] Κεφαλάς, Αλκιβιάδης Κωνσταντίνος[EN] Cefalas, Alciviadis Constantinos [EL] Κόλλια, Ζωή[EN] Kollia, Zoe [EL] Σαραντοπούλου, Ευαγγελία[EN] Sarantopoulou, Evangelia Skordoulis, C
Επιμελητής έκδοσης:	Atansov, PA Stoyanov, DV
Εκδότης:	South P I East - International Society for Optical Engineering
Τόπος έκδοσης:	BELLINGHAM
Ημερομηνία:	1999
Γλώσσα:	Αγγλικά
ISBN:	0-8194-3034-X
ISSN:	0277-786X
DOI:	10.1117/12.347645
Περίληψη:	We report on the ablative etching of Nylon 6.6 [-NH-(CH2)(6)-NH-CO-(CH2)(4)-CO-] at 193 nm and 248 nn, using a pulse discharged ArF and KrF excimer laser respectively. The etch rate at different fluences was determined for both wavelengths, along with other descriptive parameters such as the threshold fluence. The mass spectroscopic analysis showed that even at low laser energies there was a complete braking of the polymer chain bonds at both wavelengths. Moreover it seems that photofragments with two carbon atoms along with the C=O radical, have a higher probability to be ablated, while photofragments with three carbon atoms appear only under irradiation at 248 nm. No significant photofragments beyond 50 amu were recorded at both laser wavelengths.
Όνομα εκδήλωσης:	10th International School on Quantum Electronics - Laser Physics and Applications
Ημ/νία έναρξης εκδήλωσης :	1998-09-21
Ημ/νία λήξης εκδήλωσης :	1998-09-25
Τόπος εκδήλωσης:	VARNA, BULGARIA
Τίτλος πηγής δημοσίευσης:	Tenth International School on Quantum Electronics: Laser Physics and Applications
Τόμος/Κεφάλαιο:	3571
Σελίδες:	328-332
Θεματική Κατηγορία:	[EL] Οπτική. Φώς[EN] Optics. Light
Αξιολόγηση από ομότιμους (peer reviewed):	Ναι
Κάτοχος πνευματικών δικαιωμάτων:	© SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING
Εμφανίζεται στις συλλογές:	Ινστιτούτο Θεωρητικής και Φυσικής Χημείας (ΙΘΦΧ) - Επιστημονικό έργο