Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο: https://hdl.handle.net/10442/17270
Export to:   BibTeX  | EndNote  | RIS
Εξειδίκευση τύπου : Άρθρο σε επιστημονικό περιοδικό
Τίτλος: Charge transport mechanisms and memory effects in amorphous TaNx thin films
Δημιουργός/Συγγραφέας: Spyropoulos-Antonakakis N.
[EL] Σαραντοπούλου, Ευαγγελία[EN] Sarantopoulou, Evangeliasemantics logo
Drazic G.
[EL] Κόλλια, Ζωή[EN] Kollia, Zoesemantics logo
Christofilos D.
Kourouklis G.
[EL] Παλλές, Δημήτρης[EN] Palles, Dimitrissemantics logo
[EL] Κεφαλάς, Αλκιβιάδης Κωνσταντίνος[EN] Cefalas, Alciviadis Constantinossemantics logo
Εκδότης: Springer New York LLC
Ημερομηνία: 2013
Γλώσσα: Αγγλικά
ISSN: 1931-7573
DOI: 10.1186/1556-276X-8-432
Περίληψη: Amorphous semiconducting materials have unique electrical properties that may be beneficial in nanoelectronics, such as low leakage current, charge memory effects, and hysteresis functionality. However, electrical characteristics between different or neighboring regions in the same amorphous nanostructure may differ greatly. In this work, the bulk and surface local charge carrier transport properties of a-TaNx amorphous thin films deposited in two different substrates are investigated by conductive atomic force microscopy. The nitride films are grown either on Au (100) or Si [100] substrates by pulsed laser deposition at 157 nm in nitrogen environment. For the a-TaNx films deposited on Au, it is found that they display a negligible leakage current until a high bias voltage is reached. On the contrary, a much lower threshold voltage for the leakage current and a lower total resistance is observed for the a-TaNx film deposited on the Si substrate. Furthermore, I-V characteristics of the a-TaNx film deposited on Au show significant hysteresis effects for both polarities of bias voltage, while for the film deposited on Si hysteresis, effects appear only for positive bias voltage, suggesting that with the usage of the appropriate substrate, the a-TaNx nanodomains may have potential use as charge memory devices.
Τίτλος πηγής δημοσίευσης: Nanoscale Research Letters
Τόμος/Κεφάλαιο: 8
Τεύχος: 1
Σελίδες: 1-9
Θεματική Κατηγορία: [EL] Φυσική και θεωρητική χημεία[EN] Physical and theoretical chemistrysemantics logo
[EL] Εφαρμοσμένη οπτική. Φωτονική[EN] Applied optics. Photonicssemantics logo
Λέξεις-Κλειδιά: Amorphous semiconductors
Conductive-AFM
Memory effects
Nanoelectronics
Nitrides
Thin films
Αξιολόγηση από ομότιμους (peer reviewed): Ναι
Κάτοχος πνευματικών δικαιωμάτων: © 2013 Spyropoulos-Antonakakis et al.
Όροι και προϋποθέσεις δικαιωμάτων: All Open Access, Gold, Green
Σημειώσεις: The authors would like to acknowledge NHRF/TPCI for the financial support from the internal funding sources.
Εμφανίζεται στις συλλογές:Ινστιτούτο Θεωρητικής και Φυσικής Χημείας (ΙΘΦΧ) - Επιστημονικό έργο

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:
Το πλήρες κείμενο αυτού του τεκμηρίου δεν διατίθεται προς το παρόν από τον ΗΛΙΟ.