Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο: https://hdl.handle.net/10442/12633
Export to:   BibTeX  | EndNote  | RIS
Εξειδίκευση τύπου : Ανακοίνωση σε συνέδριο
Τίτλος: A DFT Study of Adsorption of Gallium and Gallium Nitrides on Si(111)
Δημιουργός/Συγγραφέας: Tzeli, Demeter
[EL] Θεοδωρακοπούλου, Γιαννούλα[EN] Theodorakopoulos, Giannoulasemantics logo
[EL] Πετσαλάκης, Ιωάννης Δ.[EN] Petsalakis, Ioannis D.semantics logo
Επιμελητής έκδοσης: Wilson, S
Grout, PJ
Maruani, J
DelgadoBarrio, G
Piecuch, P
Εκδότης: Springer
Τόπος έκδοσης: Dordrecht
Ημερομηνία: 2008
Γλώσσα: Αγγλικά
ISBN: ISBN: 978-1-4020-8706-6
ISSN: 1567-7354
Περίληψη: Adsorption of gallium (Ga, Ga(+)) and gallium nitrides (GaN, GaN(+), GaN(2), GaN(2)(+)) on a model Si(111) surface was studied by density functional theory calculations. In total 30 structures were determined. The binding energies (corrected for basis set superposition error) of the lowest structures were found to be 2.13 for Ga, 2.39 for Ga(+), 4.23 for GaN, 6.13 for GaN(+), 1.90 for GaN(2), and 2.13 eV for GaN(2)(+). Low-lying bridged structures, with the adsorbate bridging the Si rest atom and adatom were found for the diatomic and the triatomic neutral and cationic nitrides. Moreover, for the diatomics, structures with Ga-N vertical, attached to a Si adatom or a Si rest atom were also found. From electron charge distribution analysis it is confirmed that the Si cluster acts as a pool of electronic charge resulting in the adsorbed Ga and Ga+ to have similar net charges.
Όνομα εκδήλωσης: 12th European Workshop on Quantum Systems in Chemistry and Physics
Ημ/νία έναρξης εκδήλωσης : 2007-08-30
Ημ/νία λήξης εκδήλωσης : 2007-09-05
Τόπος εκδήλωσης: London, ENGLAND
Τίτλος πηγής δημοσίευσης: Frontiers in Quantum Systems in Chemistry and Physics
Τόμος/Κεφάλαιο: 18
Σελίδες: 341-350
Θεματική Κατηγορία: [EL] Χημεία (Γενικά)[EN] Chemistry (General)semantics logo
[EL] Φυσική[EN] Physicssemantics logo
Λέξεις-Κλειδιά: DFT calculations
gallium nitrides
Si(111)
adsorption
Chemistry, Physical
Physics, Atomic, Molecular & Chemical
Physics, Multidisciplinary
Αξιολόγηση από ομότιμους (peer reviewed): Ναι
Κάτοχος πνευματικών δικαιωμάτων: © SPRINGER
Εμφανίζεται στις συλλογές:Ινστιτούτο Θεωρητικής και Φυσικής Χημείας (ΙΘΦΧ) - Επιστημονικό έργο

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:
Το πλήρες κείμενο αυτού του τεκμηρίου δεν διατίθεται προς το παρόν από τον ΗΛΙΟ.