Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο:
https://hdl.handle.net/10442/12795
| Εξειδίκευση τύπου : | Άρθρο σε επιστημονικό περιοδικό |
| Τίτλος: | Schottky and charge memory effects in InN nanodomains |
| Δημιουργός/Συγγραφέας: | Spyropoulos-Antonakakis, N.
[EL] Σαραντοπούλου, Ευαγγελία[EN] Sarantopoulou, Evangelia
[EL] Κόλλια, Ζωή[EN] Kollia, Zoe
Drazic, G.
Kobe, S. |
| Εκδότης: | American Institute of Physics |
| Τόπος έκδοσης: | MELVILLE |
| Ημερομηνία: | 2011-10-10 |
| Γλώσσα: | Αγγλικά |
| ISSN: | 0003-6951 |
| DOI: | 10.1063/1.3651327 |
| Περίληψη: | Conductive atomic force microscopy on c-plane of similar to 5-20 nm InN nanocrystals grown onto Si/Ta [100] substrates by 157 nm pulsed laser deposition exhibit thermionic Schottky emission between the Pt/Ir tip and the InN nanodomains and charge memory effects identified from the hysteresis loop between forward and reverse I-V curves. The effects are due to inhomogeneous electron distribution on the surface of nanodomains and the electron confinement at the edges of the boundaries that cause local modulation of the charge neutrality and Fermi levels and put an upper limit at the electron affinity of the c-plane. |
| Τίτλος πηγής δημοσίευσης: | Applied Physics Letters |
| Τόμος/Κεφάλαιο: | 99 |
| Τεύχος: | 15 |
| Σελίδες: | [3] |
| Θεματική Κατηγορία: | [EL] Φυσική[EN] Physics |
| Λέξεις-Κλειδιά: | Physics, Applied |
| Αξιολόγηση από ομότιμους (peer reviewed): | Ναι |
| Κάτοχος πνευματικών δικαιωμάτων: | © American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3651327] |
| Ηλεκτρονική διεύθυνση περιοδικού (link) : | http://apl.aip.org/ |
| Εμφανίζεται στις συλλογές: | Ινστιτούτο Θεωρητικής και Φυσικής Χημείας (ΙΘΦΧ) - Επιστημονικό έργο
|
Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:
Το πλήρες κείμενο αυτού του τεκμηρίου δεν διατίθεται προς το παρόν από τον ΗΛΙΟ.
