Εξειδίκευση τύπου :	Άρθρο σε επιστημονικό περιοδικό
Τίτλος:	Scalable fabrication of nanostructured p-Si/n-ZnO heterojunctions by femtosecond-laser processing
Δημιουργός/Συγγραφέας:	Georgiadou D.G. Ulmeanu M. [EL] Κομπίτσας, Μιχάλης[EN] Kompitsas, Michael G. Argitis P. [EL] Κάνδυλα, Μαρία[EN] Kandyla, Maria
Εκδότης:	Institute of Physics Publishing
Ημερομηνία:	2015
Γλώσσα:	Αγγλικά
ISSN:	2053-1591
DOI:	10.1088/2053-1591/1/4/045902
Περίληψη:	We present a versatile, large-scale fabrication method for nanostructured semiconducting junctions. Silicon substrates were processed by femtosecond laser pulses in methanol and a quasi-ordered distribution of columnar nanospikes was formed on the surface of the substrates. A thin (80 nm) layer of ZnO was deposited on the laser-processed silicon surface by pulsed laser deposition, forming a nanostructured p-Si/n-ZnO heterojunction. We characterized the structural, optical, and electrical properties of the heterojunction. Electrical I-V measurements on the nanostructured p-Si/n-ZnO device show non-linear electric characteristics with a diode-like behavior. Electrical I-V measurements on a flat p-Si/n-ZnO reference sample show similar characteristics, however the forward current and rectification ratio are improved by orders of magnitude in the nanostructured device owing to its increased surface area. The fabrication method employed in this work can be extended to other homojunctions or heterojunctions for electronic and optoelectronic devices with large surface area.
Τίτλος πηγής δημοσίευσης:	Materials Research Express
Τόμος/Κεφάλαιο:	1
Τεύχος:	4
Θεματική Κατηγορία:	[EL] Φυσική και θεωρητική χημεία[EN] Physical and theoretical chemistry
Λέξεις-Κλειδιά:	Heterojunction Nanostructure Scalable fabrication ZnO
Αξιολόγηση από ομότιμους (peer reviewed):	Ναι
Κάτοχος πνευματικών δικαιωμάτων:	© 2014 IOP Publishing Ltd.
Όροι και προϋποθέσεις δικαιωμάτων:	All Open Access, Green
Εμφανίζεται στις συλλογές:	Ινστιτούτο Θεωρητικής και Φυσικής Χημείας (ΙΘΦΧ) - Επιστημονικό έργο