Εξειδίκευση τύπου :	Άρθρο σε επιστημονικό περιοδικό
Τίτλος:	Carrier confinement and bond softening in photoexcited bismuth films
Δημιουργός/Συγγραφέας:	Shin T. Wolfson J.W. Teitelbaum S.W. [EL] Κάνδυλα, Μαρία[EN] Kandyla, Maria Nelson K.A.
Εκδότης:	American Physical Society
Ημερομηνία:	2015
Γλώσσα:	Αγγλικά
ISSN:	1098-0121
DOI:	10.1103/PhysRevB.92.184302
Περίληψη:	Femtosecond pump-probe spectroscopy of bismuth thin films has revealed strong dependencies of reflectivity and phonon frequency on film thickness in the range of 25-40nm. The reflectivity variations are ascribed to distinct electronic structures originating from strongly varying electronic temperatures and proximity of the film thickness to the optical penetration depth of visible light. The phonon frequency is redshifted by an amount that increases with decreasing film thickness under the same excitation fluence, indicating carrier density-dependent bond softening that increases due to suppressed diffusion of carriers away from the photoexcited region in thin films. The results have significant implications for nonthermal melting of bismuth as well as lattice heating due to inelastic electron-phonon scattering.
Τίτλος πηγής δημοσίευσης:	Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics
Τόμος/Κεφάλαιο:	92
Τεύχος:	18
Θεματική Κατηγορία:	[EL] Φυσική και θεωρητική χημεία[EN] Physical and theoretical chemistry [EL] Φασματοσκοπία[EN] Spectroscopy
Αξιολόγηση από ομότιμους (peer reviewed):	Ναι
Κάτοχος πνευματικών δικαιωμάτων:	© 2015 American Physical Society.
Όροι και προϋποθέσεις δικαιωμάτων:	All Open Access, Bronze, Green
Σημειώσεις:	National Science Foundation, NSF
Εμφανίζεται στις συλλογές:	Ινστιτούτο Θεωρητικής και Φυσικής Χημείας (ΙΘΦΧ) - Επιστημονικό έργο