Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο: https://hdl.handle.net/10442/17196
Export to:   BibTeX  | EndNote  | RIS
Εξειδίκευση τύπου : Άρθρο σε επιστημονικό περιοδικό
Τίτλος: The impact of different ZnO growth methods on the electrical and optical properties of a n-ZnO/p-GaN:Mg/c-plane sapphire UV LED
Δημιουργός/Συγγραφέας: Fiat Varol S.
Şahin D.
[EL] Κομπίτσας, Μιχάλης[EN] Kompitsas, Michael G.semantics logo
Çankaya G.
Εκδότης: Royal Society of Chemistry
Ημερομηνία: 2014
Γλώσσα: Αγγλικά
ISSN: 2046-2069
DOI: 10.1039/c4ra00222a
Περίληψη: ZnO films were successfully grown on GaN/sapphire by Pulsed Laser Deposition (PLD) and the sol-gel technique. The purpose was to study the effect of each method on the properties of a n-ZnO/p-GaN/sapphire UV LED device. The PLD grown ZnO films were obtained at 20 Pa and 30 Pa ambient oxygen pressure while the sol-gel grown ZnO films were evaluated as annealed films and as deposited films. It was found that the device performance is strongly dependent on the ZnO layer deposition method. The present work demonstrates the ability of both chemical and physical growth methods (sol-gel and PLD, respectively) to develop high quality ZnO nanofilms with tailored optical properties by selecting the growth conditions. The obtained results show the importance of further studies on the heterojunction ZnO/GaN as a UV LED promising a wide range of applications. This journal is © the Partner Organisations 2014.
Τίτλος πηγής δημοσίευσης: RSC Advances
Τόμος/Κεφάλαιο: 4
Τεύχος: 26
Σελίδες: 13593-13600
Θεματική Κατηγορία: [EL] Φυσική και θεωρητική χημεία[EN] Physical and theoretical chemistrysemantics logo
Αξιολόγηση από ομότιμους (peer reviewed): Ναι
Εμφανίζεται στις συλλογές:Ινστιτούτο Θεωρητικής και Φυσικής Χημείας (ΙΘΦΧ) - Επιστημονικό έργο

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:
Το πλήρες κείμενο αυτού του τεκμηρίου δεν διατίθεται προς το παρόν από τον ΗΛΙΟ.