Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο: https://hdl.handle.net/10442/17201
Export to:   BibTeX  | EndNote  | RIS
Εξειδίκευση τύπου : Άρθρο σε επιστημονικό περιοδικό
Τίτλος: Temperature and tellurium (Te) dependence of electrical characterization and surface properties for a chalcopyrite structured schottky barrier diode
Δημιουργός/Συγγραφέας: Fiat S.
Bacaksiz E.
[EL] Κομπίτσας, Μιχάλης[EN] Kompitsas, Michael G.semantics logo
Çankaya G.
Ημερομηνία: 2014
Γλώσσα: Αγγλικά
ISSN: 0925-8388
DOI: 10.1016/j.jallcom.2013.09.123
Περίληψη: Al/p-CuIn0.7Ga0.3(Se(1-x )Tex)2/Mo Schottky barrier diodes (SBD) have been investigated as electrical and morphological. Electrical characterization and surface maps of the prepared CuIn0.7Ga0.3(Se (1-x)Tex)2 (briefly, CIGSeTe) compounds with two different compositions for x = 0.0 and 0.6 were examined in 150-300 K range. CIGSeTe films were grown on Mo back contact. Some electrical parameters such as, ideality factors, n; zero-bias barrier heights, Φbo and Richardson constants were calculated from the current-voltage (I-V) measurements and plotted as a function of temperature. These results verify that electrical properties of these two diodes can be defined on the basis of the Thermionic emission (TE) theory with the Gaussian distribution (GD) of the Schottky barrier height (SBH) being related to inhomogeneities at the metal/semiconductor (MS) interface. On the other hand, we saw a better morphology in Te rich samples. Rms (root mean square) values increased from 8.50 nm to 9.80 nm with higher pellets on surface with Te.
Τίτλος πηγής δημοσίευσης: Journal of Alloys and Compounds
Τόμος/Κεφάλαιο: 585
Σελίδες: 178-184
Θεματική Κατηγορία: [EL] Φυσική και θεωρητική χημεία[EN] Physical and theoretical chemistrysemantics logo
Λέξεις-Κλειδιά: AFM
CIGSeTe
Electrical properties
Schottky barrier diodes
Αξιολόγηση από ομότιμους (peer reviewed): Ναι
Κάτοχος πνευματικών δικαιωμάτων: © 2013 Elsevier B.V. All rights reserved.
Σημειώσεις: 2010/12
This work is supported by Gaziosmanpaşa University Scientific Research Project (BAP) with the Grand Contract No: 2010/12.
Εμφανίζεται στις συλλογές:Ινστιτούτο Θεωρητικής και Φυσικής Χημείας (ΙΘΦΧ) - Επιστημονικό έργο

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:
Το πλήρες κείμενο αυτού του τεκμηρίου δεν διατίθεται προς το παρόν από τον ΗΛΙΟ.