Εξειδίκευση τύπου :	Κεφάλαιο σε πρακτικά συνεδρίου
Τίτλος:	Density functional calculations with lattice relaxation of field emitted currents
Δημιουργός/Συγγραφέας:	Gotsis, Harilaos J. [EL] Μπακάλης, Ναούμ Χ.[EN] Bacalis, Naoum C. Xanthakis, John P.
Εκδότης:	IEEE
Ημερομηνία:	2020
Γλώσσα:	Αγγλικά
ISBN:	978-1-7281-9454-7
DOI:	10.1109/IVNC49440.2020.9203573
Περίληψη:	The VASP DFT package simulates external electric field by inserting the material in the middle of a charged plane capacitor under periodic boundary conditions. At self-consistency some slight electronic charge must rest at the positive capacitor plate. By subtracting its induced potential between the surface and the positive plate, a corrected total external potential is obtained, determining a corrected tunneling length and barrier height.
Όνομα εκδήλωσης:	2020 33rd International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC) July 6-7
Ημ/νία έναρξης εκδήλωσης :	2020-07-06
Ημ/νία λήξης εκδήλωσης :	2020-07-10
Τόπος εκδήλωσης:	Lyon, FRANCE
Τίτλος πηγής δημοσίευσης:	33rd International Vacuum Nanoelectronics Conference (IVNC)
Σελίδες:	1-2
Θεματική Κατηγορία:	[EL] Φυσική και θεωρητική χημεία[EN] Physical and theoretical chemistry [EL] Χημική τεχνολογία[EN] Chemical technolgy
Λέξεις-Κλειδιά:	VASP - DFT Tungsten External electric field External total potential Slabs Capacitors Electric fields Boundary conditions Discrete fourier transforms
Κάτοχος πνευματικών δικαιωμάτων:	Copyright © 2020 IEEE. All rights reserved.
Ηλεκτρονική διεύθυνση στον εκδότη (link):	https://ieeexplore.ieee.org/document/9203573/authors#authors
Ηλεκτρονική διεύθυνση περιοδικού (link) :	https://ieeexplore.ieee.org/xpl/conhome/9194989/proceeding
Εμφανίζεται στις συλλογές:	Ινστιτούτο Θεωρητικής και Φυσικής Χημείας (ΙΘΦΧ) - Επιστημονικό έργο