Device parameter optimization of strained Si channel SiGe/Si n-MODFET's using a one-dimensional charge control model

Halkias, G.; Vegiri, Aliki

Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο: https://hdl.handle.net/10442/7191

Export to: BibTeX | EndNote | RIS

Εξειδίκευση τύπου :	Άρθρο σε επιστημονικό περιοδικό
Τίτλος:	Device parameter optimization of strained Si channel SiGe/Si n-MODFET's using a one-dimensional charge control model
Δημιουργός/Συγγραφέας:	Halkias, G. [EL] Βεγίρη, Αλίκη[EN] Vegiri, Aliki
Εκδότης:	I E E E
Ημερομηνία:	1998
Γλώσσα:	Αγγλικά
ISSN:	0018-9383
DOI:	10.1109/16.735719
Τίτλος πηγής δημοσίευσης:	I E E E Transactions on Electron Devices
Τόμος/Κεφάλαιο:	45
Τεύχος:	12
Σελίδες:	2430-2436
Αξιολόγηση από ομότιμους (peer reviewed):	Ναι
Ηλεκτρονική διεύθυνση περιοδικού (link) :	http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=16
Σημειώσεις:	Ερευνητικη ομάδα ΕΙΕ: Θεωρία της Συμπυκνωμένης Υλης Ερευνητικη ομάδα ΕΙΕ: Condensed Matter Theory
Εμφανίζεται στις συλλογές:	Ινστιτούτο Θεωρητικής και Φυσικής Χημείας (ΙΘΦΧ) - Επιστημονικό έργο

Αρχεία σε αυτό το τεκμήριο:

Το πλήρες κείμενο αυτού του τεκμηρίου δεν διατίθεται προς το παρόν από τον ΗΛΙΟ.